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元件参数资料
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参数目录42510
> IRL620PBF MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
型号:
IRL620PBF
RoHS:
无铅 / 符合
制造商:
Vishay Siliconix
描述:
MOSFET N-CH 200V 5.2A TO-220AB
详细参数
数值
产品分类
分离式半导体产品 >> FET - 单
IRL620PBF PDF
产品目录绘图
IR(F,L)x Series Side 1
IR(F,L)x Series Side 2
标准包装
1,000
系列
-
FET 型
MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点
逻辑电平门
漏极至源极电压(Vdss)
200V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C
5.2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C
800 毫欧 @ 3.1A,5V
Id 时的 Vgs(th)(最大)
2V @ 250µA
闸电荷(Qg) @ Vgs
16nC @ 5V
输入电容 (Ciss) @ Vds
360pF @ 25V
功率 - 最大
50W
安装类型
通孔
封装/外壳
TO-220-3
供应商设备封装
TO-220AB
包装
管件
其它名称
*IRL620PBF
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